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场效应管10n60参数

场效应管10n60参数

10N60 :N沟道MOSFET功率,10A  600V。

10N60是耐压吵耐600V,电流10A的N沟道场效应管

13N50是耐压500V,电流13A的N沟道场效应管。

只要你的实际应用电压不超过400V,就可以代换。电流不用考虑了。

场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没模碰指有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

1. 场效应管cs8n60用10n60型号管子代换。

2. 场效应管cs8n60参数旦配:8n60,7.5A,600V,RDS=1.2欧。10n60参数:10A,600V,RDS=0.73欧。