SimoneG：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。
增强耗尽接法基本一样。
无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。
mos管是金属(metal)—氧腊衡化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称轮销做是金属—绝缘体(insulator)—半导斗判体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
参考资料MOS管＿百度百科
